4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)

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更新時間：2022-09-15 08:50:35瀏覽次數(shù)：141次

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上海繪吉電子科技有限公司

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產(chǎn)品簡介

4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)

詳細介紹

型號：OTF-1200X-50-4CLV-PE

品牌：科晶

4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng) 核心參數(shù)

升溫速度（達到溫）
10℃
內(nèi)部尺寸
外徑: 50 ×內(nèi)徑: 44 ×長: 1000 mm
加熱方式
電阻絲
功率
3KW
控溫精度
±1℃
溫度
1200℃
儀器種類
管式爐

為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD），內(nèi)爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命。

技術參數(shù)

實驗機理	輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3 電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍
產(chǎn)品特點	雖環(huán)境溫度在100-300℃，但反應氣體在輝光放電等離子體中能受激分解，離解和離化，從而大大提高了反應物的活性。因此，這些具有反應活性的中性物質(zhì)很容易被吸附到較次溫度的基本表面上，發(fā)生非平衡的化學反應沉積生成薄膜。科晶公司提供定制的薄膜材料的實驗室質(zhì)量可靠、價格合理的緊湊型PECVD系統(tǒng)。下圖顯示的是PECVD法用500W交流等離子體與OTF1200X50、7通道精密質(zhì)量流量計和高真空系統(tǒng)氣體組成 OTF-1200X開啟式管式爐，工作溫度高達1200℃ 化學氣相沉積系統(tǒng)的組成圖
開啟式管式爐	工作溫度：1200℃ 爐管尺寸：Φ50，Φ60，Φ80都可用溫度控制器：30段高精度數(shù)字可編程溫度控制器加熱區(qū)長度：440mm 恒溫區(qū)長度：150mm 功率：AC 220V 4KW
等離子射頻電源	輸出功率：50-500W可調(diào)±1% RF頻率： 13.56MHz，穩(wěn)定性±0.005% 噪聲：≤55DB 冷卻：風冷輸入功率：1KW AC 220V
真空泵和閥門	采用KF25系列波紋管和精密針閥連接真空度可達10-3torr 本公司進口的防腐型數(shù)字式真空顯示計，其測量范圍為3.8x10^-5至 1125Torr.不需因測量氣體種類不同而需要系數(shù)轉(zhuǎn)換。（點擊圖片查看詳細介紹）
質(zhì)量流量計	內(nèi)部裝有高精度數(shù)字顯示質(zhì)量流量計可準確的控制氣體流量氣體流量范圍為0-200 誤差為0.02% 一個氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥不銹鋼針閥安裝在左側(cè)可手動控制混合氣體輸入進氣口：采用國際標準雙卡套接頭
細節(jié)圖展示
外形尺寸	爐體：550380520mm 供氣及真空系統(tǒng)：600600597mm 凈重：120KG
質(zhì)保期	一年質(zhì)保期相關耗材除外，如加熱元件，密封圈等易耗件
質(zhì)量認證	CE認證所有電器元件（>24V）都通過UL?/?MET?/?CSA認證若客戶出認證費用，本公司保證單臺設備通過德國TUV認證或CAS認證
國家	名稱：可組合式等離子增強化學氣相沉積裝置編號：ZL-2011-2-0355777.1 尊重創(chuàng)新、鄙視抄襲、侵權必究
使用注意事項：	爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa 由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全當爐體溫度高于1000℃時，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當，保持在常壓狀態(tài) 進入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊石英管的長時間使用溫度＜1100℃ 對于樣品加熱的實驗，不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂，法蘭飛出等）